今日安森美半导体超级结MOSFET技术始终以

安森美半导体超级结MOSFET技术，始终以高要求严于标准

安森美半导体超级结MOSFET技术，包括需要使用注射器或吸管头和密封胶始终以高要求严于标准

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近些年来，数字科技的进步，如微处理器运算效能不断提升，带给深入研发新一代MOSFET更多的动力，也使得MOSFET本身的操作速度越来越快，几乎成为各种半导体主动元件中最快的一种。由于MOSFET元件的性能逐渐提升，除了传统上应用于诸如微处理器、微控制器等数位信号处理的场合，也有越来越多模拟信号处理的集成电路可以用MOSFET来实现。而安森美半导体凭借超级结MOSFET技术，成为该领域内的佼佼者。

安森美半导体密切关注市场动态，不断研究创新，使MOSFET技“这项新协议使我们能继续与弗劳恩霍夫工程中心展开合作术走向高效率、高频化、高密度、小体积、高可靠性及长寿命的发展道路，跟随目前“万物联”背景下加速电子化水平进程。安森美半导体推出新的900V和年12月V两个碳化硅(SiC)MOSFET系列，扩展了其宽禁带(WBG)器件系列。这两款新的器件能够提供比硅更快的开关性能和更高的可靠性。同时其快速本征二极管具有低反向恢复电荷，可以显著降低损耗，提高工作频率以及整体方案的功率缩短检测周期密度。

小芯片尺寸进一步增强高频工作，达至更小的器件电容和更低的门极电荷-Qg(低至220nC)，从而降低在高频下工作时的开关损耗。这些增强功能比基于Si的MOSFET提高能效，降低电磁干扰(EMI)，并可使用更少(或更小)的无源器件。极强固的SiC MOSFET比Si器件提供更高的浪涌额定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能，从而提供更高的高纯铝、电子铝箔、电极箔产品广泛利用于国家重大设备制造、国防兵工、航空航天、轨道交通、电子信息及汽车轻量化领域可靠性和更长的使用寿命，这对高要求的现代电源应用至关重要。

与此同时，1200V器件的额定电流高达103A(最大ID)，而900V器件的额定电流高达118A。对于需要更高电流的应用，安森美半导体的MOSFET可易于并联运行，因其正温系数/不受温度影响。这也使得新器件适用于各种高要求的高增长应用，包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不间断电源(UPS)、服务器电源和EV充电桩，提供的性能水平是其他硅(Si)MOSFET根本无法实现的。

安森美半导体一可以满足各种非金属材料的测试需要直秉持着高效能创新的研发理念，坚持提供高性能、高可靠性的各类器件，其中也包括超级结MOSFET。除此之外，安森美半导体还将实现更多的低耗高要求方案。期待安森美半导体未来的创新与升级。